Logam Substrat Seramik

Logam daripadasubstrat seramik:

a. Kaedah filem tebal: Kaedah metalisasi filem tebal, dibentuk dengan percetakan skrin padasubstrat seramik, membentuk konduktor (pendawaian litar) dan rintangan, dsb., litar pembentukan tersinter dan sesentuh plumbum, dsb. , Sistem pencampuran oksida dan kaca dan oksida;
b. Undang-undang Filem: Pengetatan melalui salutan vakum, penyaduran ion, salutan sputtering, dsb. Walau bagaimanapun, pekali pengembangan haba filem logam dansubstrat seramikhendaklah sebaik mungkin, dan lekatan lapisan metalisasi harus diperbaiki;
c. Kaedah pembakaran bersama: Pada lembaran hijau seramik sebelum dibakar, buburan filem tebal percetakan wayar Mo, W et al., adalah pertahanan, supaya seramik dan logam konduktor dibakar menjadi struktur, kaedah ini Mempunyai ciri-ciri berikut :
■ Pendawaian litar halus boleh dibentuk, yang mudah dicapai berbilang lapisan, supaya pendawaian berketumpatan tinggi dapat dicapai;
■ Disebabkan oleh penebat dan konduktor - bungkusan kedap udara;
■ Dengan pemilihan bahan, membentuk tekanan, suhu pensinteran, pembangunan pengecutan pensinteran, khususnya, pembangunan substrat pengecutan sifar dalam arah planar berjaya dicipta untuk digunakan dalam pakej berketumpatan tinggi seperti BGA, CSP, dan terdedah kerepek.