Substrat Silikon Karbida

silikonsubstrat karbida:

a. Bahan mentah: SiC tidak dihasilkan secara semula jadi tetapi dicampur dengan silika, kok dan sedikit garam, dan relau grafit dipanaskan hingga lebih daripada 2000 ° C, dan A -SIC dijana. Langkah berjaga-jaga, perhimpunan polihabluran berbentuk blok hijau gelap boleh diperolehi;

b. Kaedah pembuatan: Kestabilan kimia dan kestabilan haba SiC adalah sangat baik. Sukar untuk mencapai ketumpatan menggunakan kaedah biasa, jadi perlu menambah bantuan tersinter dan menggunakan kaedah khas untuk kebakaran, biasanya dengan kaedah menekan haba vakum;

c. Ciri-ciri substrat SiC: Sifat yang paling tersendiri ialah pekali resapan haba adalah sangat besar, malah lebih banyak kuprum daripada kuprum, dan pekali pengembangan termanya lebih dekat dengan Si. Sudah tentu, terdapat beberapa kelemahan, secara relatifnya, pemalar dielektrik adalah tinggi, dan penebat menahan voltan lebih teruk;

D. Permohonan: Untuk silikonsubstrat karbida, sambungan panjang, pelbagai penggunaan litar voltan rendah dan pakej penyejukan tinggi VLSI, seperti pita LSI logik integrasi tinggi berkelajuan tinggi, dan komputer super besar, aplikasi substrat diod laser kredit komunikasi ringan, dsb.

Substrat kes (BE0):

Kekonduksian termanya adalah lebih daripada dua kali ganda daripada A1203, yang sesuai untuk litar berkuasa tinggi, dan pemalar dielektriknya rendah dan boleh digunakan untuk litar frekuensi tinggi. Substrat BE0 pada asasnya diperbuat daripada kaedah tekanan kering, dan juga boleh dihasilkan menggunakan jumlah surih MgO dan A1203, seperti kaedah tandem. Oleh kerana ketoksikan serbuk BE0, terdapat masalah alam sekitar, dan substrat BE0 tidak dibenarkan di Jepun, ia hanya boleh diimport dari Amerika Syarikat.