Substrat Seramik Logam

Substrat Seramik Logam

Substrat Seramik Logam adalah sejenis bahan asas yang digunakan dalam litar elektronik, terutamanya dalam teknologi filem nipis. Ia diperbuat daripada bahan seramik seperti alumina (Al2O3), aluminium nitrida (AlN), atau silikon karbida (SiC). Substrat seramik mempunyai rintangan haba dan kimia yang sangat baik, kekuatan mekanikal yang tinggi, penebat elektrik yang unggul, dan kapasiti pengendalian isyarat frekuensi tinggi.

Dalam litar elektronik, substrat seramik menyediakan permukaan yang stabil untuk memasang komponen elektronik dan membantu dalam penghantaran isyarat. Ia sering digunakan dalam aplikasi yang memerlukan kuasa tinggi, seperti penguat kuasa, pengawal selia pensuisan dan pengawal selia voltan. Substrat seramik juga digunakan dalam litar hibrid dan bersepadu, penderia, dan peranti elektronik lain.

Substrat seramik mempunyai sifat unik yang menjadikannya berguna dalam pelbagai aplikasi perindustrian. Mereka boleh menahan suhu tinggi, persekitaran yang keras dan pendedahan kimia. Ia juga ringan, tahan lama dan serba boleh, menjadikannya sesuai untuk pembungkusan elektronik, automotif, aeroangkasa dan aplikasi lain yang menuntut.

Secara keseluruhan, substrat seramik menawarkan banyak kelebihan dalam aplikasi elektronik dan perindustrian di mana kestabilan, kebolehpercayaan dan keupayaan berprestasi tinggi adalah faktor kritikal.

Anda boleh yakin untuk membeli Substrat Seramik Logam tersuai daripada kami. Torbo berharap untuk bekerjasama dengan anda, jika anda ingin mengetahui lebih lanjut, anda boleh berunding dengan kami sekarang, kami akan membalas anda dalam masa!

Substrat Seramik Torbo®Metal

Item: Substrat Seramik Logam

Bahan:Si3N4

Warna: Kelabu

Ketebalan: 0.25-1mm

Pemprosesan permukaan: Digilap berganda

Ketumpatan pukal: 3.24g/㎤

Kekasaran permukaan Ra: 0.4μm

Kekuatan lenturan: (kaedah 3 mata): 600-1000Mpa

Modulus keanjalan: 310Gpa

Keliatan patah(kaedah JIKA):6.5 MPa･√m

Kekonduksian terma: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor kehilangan dielektrik:0.4

Kerintangan isipadu: 25°C >1014 Ω･㎝

Kekuatan pecahan:DC >15㎸/㎜