Plat silikon nitrida dan kaedah pembuatannya

Nama paten:Substrat Silikon Nitridadan kaedah pembuatannya, dan kaedah pengeluaran papan litar silikon nitrida dan modul semikonduktor menggunakan plat silikon nitrida
Bidang teknikal:
Ciptaan sekarang melibatkanSubstrat Silikon Nitridadan kaedah pembuatannya. Selain itu, ciptaan ini melibatkan penggunaan substrat litar silikon nitrida dan modul semikonduktor menggunakan kaedah di atas.Substrat Silikon Nitrida.
Teknik latar belakang:
Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, dalam bidang dan bidang lain kenderaan elektrik, modul semikonduktor kuasa (Modul Semikonduktor Kuasa) (IGBT, MOSFET kuasa, dll.) yang boleh berfungsi dengan voltan tinggi dan arus besar. Untuk substrat yang digunakan dalam modul semikonduktor kuasa, satu permukaan substrat seramik penebat boleh digunakan untuk digabungkan dengan papan litar logam, dan substrat litar seramik dengan plat radiator logam pada permukaan lain boleh digunakan. Di samping itu, unsur semikonduktor pada papan litar logam dan sebagainya. Gabungan substrat seramik penebat yang disebutkan di atas dengan papan litar logam dan sink haba logam, seperti apa yang dipanggil berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga berasaskan tembaga disambungkan secara langsung kepada undang-undang. Untuk modul semikonduktor kuasa sedemikian, pelesapan haba lebih besar dengan mengalir melalui arus besar. Walau bagaimanapun, kerana substrat seramik penebat yang disebutkan di atas adalah rendah dari segi kekonduksian terma, ia mungkin menjadi faktor yang menghalang pelesapan haba komponen semikonduktor. Di samping itu, penjanaan tegasan haba disebabkan oleh kadar pengembangan haba antara substrat seramik penebat dan papan litar logam dan plat sink haba logam. Akibatnya, substrat seramik penebat retak dan kemusnahan, atau papan litar logam atau pelesapan haba logam Papan itu dilucutkan daripada substrat seramik penebat.