Substrat Seramik Silikon Nitrida untuk Elektronik
Substrat Seramik Silikon Nitrida untuk Elektronik ialah sejenis bahan seramik khusus yang digunakan dalam pelbagai aplikasi perindustrian di mana kekuatan tinggi, ketahanan dan kestabilan haba diperlukan. Ia diperbuat daripada gabungan silikon, nitrogen, dan unsur-unsur lain yang memberikan sifat mekanikal, haba dan kimia yang unik.
Substrat seramik Si3N4 mempunyai kekuatan mekanikal yang luar biasa, menjadikannya sangat tahan haus dan kerosakan akibat hentaman dan mampatan. Ia juga sangat tahan kejutan haba, mampu menahan perubahan suhu yang cepat tanpa retak atau pecah. Ini menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam industri suhu tinggi seperti aeroangkasa, kejuruteraan automotif dan kawasan lain yang memerlukan pelesapan haba.
Sebagai tambahan kepada sifat mekanikal dan habanya, substrat seramik Si3N4 juga menawarkan penebat elektrik yang sangat baik dan rintangan kakisan yang baik dalam persekitaran yang keras. Ia digunakan dalam aplikasi elektronik dan semikonduktor seperti modul kuasa dan elektronik suhu tinggi kerana sifat pelesapan haba dan penebatnya yang unggul.
Secara keseluruhan, substrat seramik silikon nitrida Si3N4 adalah bahan yang luar biasa dengan pelbagai aplikasi. Kekuatan mekanikalnya yang luar biasa, kestabilan haba, penebat elektrik dan rintangan kimia menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi perindustrian dan elektronik di mana kebolehpercayaan dan kecekapan adalah faktor kritikal.
Anda boleh yakin untuk membeli Substrat Seramik Silikon Nitrida yang disesuaikan untuk Elektronik daripada kami. Torbo berharap untuk bekerjasama dengan anda, jika anda ingin mengetahui lebih lanjut, anda boleh berunding dengan kami sekarang, kami akan membalas anda dalam masa!
Substrat Seramik Silikon Nitrida Torbo® untuk Elektronik
Item: Substrat silikon nitrida
Bahan:Si3N4
Warna: Kelabu
Ketebalan: 0.25-1mm
Pemprosesan permukaan: Digilap berganda
Ketumpatan pukal: 3.24g/㎤
Kekasaran permukaan Ra: 0.4μm
Kekuatan lenturan: (kaedah 3 mata): 600-1000Mpa
Modulus keanjalan: 310Gpa
Keliatan patah(kaedah JIKA):6.5 MPa・√m
Kekonduksian terma: 25°C 15-85 W/(m・K)
Faktor kehilangan dielektrik:0.4
Kerintangan isipadu: 25°C >1014 Ω・㎝
Kekuatan pecahan:DC >15㎸/㎜