Substrat Seramik Silicon Nitride Si3n4

Substrat Seramik Silicon Nitride Si3n4

Substrat Seramik Silicon Nitride Si3n4 ialah sejenis bahan termaju yang digunakan dalam banyak aplikasi yang berbeza, daripada elektronik kepada industri aeroangkasa. Ia mempunyai gabungan sifat unik yang menjadikannya salah satu seramik yang paling serba boleh dan tahan lama yang ada. Silikon nitrida adalah bahan yang sangat keras dan kuat, menjadikannya sangat tahan haus dan lusuh. Ia mempunyai kestabilan haba yang sangat baik, yang bermaksud ia boleh menahan suhu tinggi tanpa merendahkan atau kehilangan sifatnya. Selain itu, ia adalah penebat elektrik yang tinggi, memberikan penebat dan perlindungan yang sangat baik kepada komponen elektrik.

Substrat seramik silikon nitrida digunakan dalam pelbagai komponen elektronik, seperti semikonduktor kuasa dan diod pemancar cahaya (LED), kerana kekonduksian terma yang sangat baik dan sifat pelesapan haba. Ia juga digunakan dalam aplikasi mekanikal, seperti galas berkelajuan tinggi dan alat pemotong, kerana kekuatan dan keliatannya yang luar biasa. Industri aeroangkasa menggunakan substrat seramik silikon nitrida dalam aplikasi suhu tinggi, seperti bahagian turbin, kerana rintangan kejutan haba dan rintangan pengoksidaan yang sangat baik.

Secara keseluruhan, substrat seramik silikon nitrida adalah bahan yang luar biasa dengan pelbagai aplikasi. Ketahanannya, kestabilan haba, penebat elektrik dan kekuatan mekanikal menjadikannya pilihan popular dalam pelbagai industri.

Anda dialu-alukan untuk datang ke kilang kami untuk membeli substrat seramik silikon nitrida yang dijual terkini, harga rendah dan berkualiti tinggi. Torbo berharap dapat bekerjasama dengan anda.

Substrat Seramik Torbo®Silicon Nitride Si3n4

Item: Substrat Seramik Silikon Nitrida Si3n4

Bahan:Si3N4

Warna: Kelabu

Ketebalan: 0.25-1mm

Pemprosesan permukaan: Digilap berganda

Ketumpatan pukal: 3.24g/㎤

Kekasaran permukaan Ra: 0.4μm

Kekuatan lenturan: (kaedah 3 mata): 600-1000Mpa

Modulus keanjalan: 310Gpa

Keliatan patah(kaedah JIKA):6.5 MPa･√m

Kekonduksian terma: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor kehilangan dielektrik:0.4

Kerintangan isipadu: 25°C >1014 Ω･㎝

Kekuatan pecahan:DC >15㎸/㎜